Закрыть
Газосварочное оборудование, оборудование для сварки FoxWeld

























+ Ответить в теме
Показано с 1 по 35 из 35

Тема: IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?

  1. #1
    По умолчанию IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?
    сварочные инверторы, изготовленные с использованием IGBT-полупроводников - в чем преимущество перед MOSFET-технологией?

  2.  
  3. #2
    По умолчанию
    когда сгорят транзисторы, то денежек за IGBT отдашь раз в 5 больше чем за Mosfet и устанешь их искать по магазинам

  4. #3
    По умолчанию
    Разница в транзисторах, друг мой, MOSFET - это полевые транзисторы, как правило каскадированные (спараллеленные), засчёт чего дешевле, а IGBT - биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они сами по себе держут намного большие мощности, но намного дороже сами, а также управляющая схема подороже. Преимуществ в сварке - никаких, есть недостатки в сервисном обслуживании. Для IGBT инверторов не так-то просто найти запчасти.

  5. #4
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от mitin
    сварочные инверторы, изготовленные с использованием IGBT-полупроводников - в чем преимущество перед MOSFET-технологией?
    В настоящее время параметры и цена ижбт и мосфет элементов очень близки. Существенных преимуществ одной перед другой практически нет в тех диапазонах мощностей, в которых применяются сварочные инверторы. Хотя, касаемо высоковольтной техники, то тут вес больше переходит на сторону ижбт транзисторов.

  6. #5

    Регистрация
    27.03.2008
    г. Нижний Новгород
    Сообщений
    471
    По умолчанию
    Вот там выше товарищ правильно заметил, что при выходе из строя IGBT-инвертора, Вы замените в нем ВСЕ (!) ключи, а при выходе из строя MOSFET-инвертора, Вы замените их максимум два (например, САИ-200). Кто-то скажет: "Так, в современных IGBT-инвертора, обычно всего два IGBT-транзистора". Это верно, НО не всегда. В НЕОНАХ и им подобным их от 6 до 10. В BlueWeld-ах их от от 2 до 4, но там вместе с силовыми диодами вылетает весь драйвер. В "гусях" и Awelko их от 6 до 8 в этом случае ремонт вообще проблемматичен (а для гуся это МОГИЛА в полном смысле слова). В Asea летят IGBT-модули. Их стоимость от 2500 руб за штуку (нужен один).
    Но, тем не менее весь мир переходит на IGBT - это дешевле для производителя. Дешевле по комплектации и по технлогии.

  7. #6
    Аватар для чукча
    Регистрация
    04.12.2005
    с. Самбек Неклиновского р-на Ростовской обл.
    Сообщений
    3,888
    По умолчанию
    Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200...250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300...400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона, явных преимуществ нет ни у кого. Из неявных: при прочих примерно равных у igbt меньше входная ёмкость - проще управлять, и для изготовления igbt ключа нужен кристалл меньшей площади, из-за чего они чуть дешевле (если где-то за них ломят цену - это не иначе просто проделки розничных продаванов). Ну и к тому же технология mosfet уже почти исчерпала все теоретические возможности для улучшательства, а igbt сейчас развиваются гораздо живее.

    kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.

  8. #7

    Регистрация
    27.03.2008
    г. Нижний Новгород
    Сообщений
    471
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от чукча
    падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.
    ... возможно, но почему в тех же САИ летят только два, а в, например, Prorab IN160 (кажется, не ошибся в названии) всегда летят все четыре (IGBT HGTG30N60A4D, могут быть и другие). Управа Prorab IN160 один в один САИ. Там даже "та же торчащая платка" есть. Защита та же. Вторичный блок питания слегка модернизированный.

  9. #8
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от чукча
    из-за чего они чуть дешевле (если где-то за них ломят цену - это не иначе просто проделки розничных продаванов)
    Это где же Igbt дешевле Mosfet? Не иначе продаваны во всем мире устраивают проделки
    По этой ссылке http://ru.farnell.com/fairchild-semi...247/dp/9846611 стоимость Igbt HGTG30N60A4D 11евро
    А здесь http://www.icled.ru/ru/katalog/produ...026&offset=520 Mosfet K2837 стоит 40 рублей
    И тот и другой стоят в аппаратах типа САИ. Разница в цене 1 к 10

  10. #9
    Аватар для чукча
    Регистрация
    04.12.2005
    с. Самбек Неклиновского р-на Ростовской обл.
    Сообщений
    3,888
    По умолчанию
    bvale, цены - вапроц нежный. HGTG30N60A4D по 11 евро в каталоге Фарнелл - вряд ли это потолок, думаю можно найти и по 20, но это долго искать. Проще найти места, где они вполне доступны по 5-6 евро. На "митинском радиорынке" в г. Москва (вторая сцылка) попасть на левак гораздо проще, чем во многих других местах, но при ценах типо всего 40 рублей за некий "Mosfet K2837" ряды потерпевшых вряд ли когда поредеют. А тошибовский мосфет 2SK2837 не на митинском рынке стоит где-то 3 евро. Но чтобы на токе 20А у них статические потери были не больше, чем у одного HGTG30N60A4D, этих 2SK2837 нада 3-4 штуки параллельно, смотря для какой температуры кристалла. Вот и считайте...
    Последний раз редактировалось чукча; 20.09.2010 в 21:47.

  11. #10

    Регистрация
    31.10.2009
    г. Пушкино Московской обл.
    Сообщений
    1,055
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от чукча
    с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество
    Это утверждение не распространяется на схемы с рекуператорами реактивных ёмкостных коммутационных мощностей в цепях стоков и затворов mosfetов

  12. #11

    Регистрация
    26.02.2006
    г. Санкт-Петербург
    Сообщений
    3,083
    По умолчанию
    Уважаемые коллеги, спор беспредметен. Особой разницы в обоих технологиях на уровне сварочного инвертера нет. Просто в схемах с IGBT меньше элементов, особенно тех, которые надо крепить на радиаторы.
    Реальное преимущество IGBT начинается с токов в килоамперы и напряжений с киловольта.

  13. #12
    По умолчанию
    Вопрос задан для того ,чтобы выбрать из двух инв. сварочников - один - клон САИ-200 (по кр. мере внешне) http://www.piran-saw.ru/katalog/svarochnye_invertory/, а вот второй - http://www.nikatool.ru/ Первый стоит 5600 р, второй - 6200 р. Какой взять (выбирается заочно)?

  14. #13
    По умолчанию
    И тишина...уж много лет...

  15. #14
    По умолчанию
    да варит народ наверное, а не языком чешет.
    за те 5 лет от мосфет даже подпольный кетай отказался.

  16. #15
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от чукча Посмотреть сообщение
    Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200...250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300...400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона...

    kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.
    Хочу согласиться с этим мнением.
    Внесу небольшую лепту в ваш диалог. Я не особый электронщик, но по опыту производства наших сварочных аппаратов Торус (а они у нас на мосфете) и общения с разработчиками хочу добавить, что еще отличие в "переключении ключей". В диапазоне работы 300-400В Igbt происходит "жесткое переключении ключей", на мосфет более "мягкое". Это сказывается на долговечности транзисторов. Т.е. ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим "затуханием". Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.
    Я извиняюсь, мож и не совсем корректно объяснил или не так сказал, поправьте.
    А про перспективу мосфета.. Ну, что знаю, эту модельку евм выпускают на них.
    В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. На замену Торус 255. Только нужно ли это кому-нить? )). Так, для источника тока, мощного и легкого. Возможно и будет.

  17. #16
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от Валери2001 Посмотреть сообщение
    Хочу согласиться с этим мнением.
    А на igbt - с небольшим "затуханием". Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.
    Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе. Частотный диапазон IGBT как правило уже чем у полевых транзисторов. По крайней мере пока. Вместе с тем, как уже было отмечено выше, при обеспечении равных статических потерь IGBT выйдет дешевле.

  18. #17
    Аватар для Klez
    Регистрация
    26.07.2013
    г. Подольск, Московская обл.
    Сообщений
    1,634
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от Валери2001 Посмотреть сообщение
    В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. .
    Где доказательства на прогоне? (Часа 3-5)
    И не надо меня лечить,типа форсажа,горстарта и антистика там нет.
    Вы хотя бы знаете как это всё грамотно должно быть реализовано? (расчитано на тупого сварного наверно)))))
    На вэбсварке в видео всё показали..
    Графики-цЫфры,ВАХ чтобы все видели!!! (на вашем стенде) Слабо?
    Торус как сварка так себе..(варил 200 и 200С),выпрямители и то варят лучше. А уж запредельные токи и ПВ на "самопале" сделать не сложно.
    Инэм 200Т...Gysmi 165..

  19. #18
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от Валери2001 Посмотреть сообщение
    А про перспективу мосфета.. Ну, что знаю, эту модельку евм выпускают на них.
    Пико 180, на мосфетах? Что-то, как-то, весьма сомнительно... 162-й на игбт.

  20. #19
    Аватар для чукча
    Регистрация
    04.12.2005
    с. Самбек Неклиновского р-на Ростовской обл.
    Сообщений
    3,888
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от Валери2001 Посмотреть сообщение
    Т.е. ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим "затуханием".
    Не факт, мяхко говоря, потому что:
    1) у mosfet по сравнению с igbt при прочих примерно равных в несколько раз больше входная ёмкость, и далеко не каждый драйвер ключа сможет перезарядить такую ёмкость достаточно быстро;
    2) igbt последних поколений вообще практисски не уступают mosfet в плане "резче".

    Цитата Сообщение от Валери2001 Посмотреть сообщение
    Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.
    То ли вы не так поняли, то ли разрабы ваши что-то не то вам рассказали. Т.н. "хвост" при закрывании igbt имел место быть только у самого первого поколения igbt, ну может ещё частично у второго. Сейчас они уже восьмого поколения, если не больше.

    Цитата Сообщение от x-men Посмотреть сообщение
    Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе.
    Эта проблема неактуальна уже минимум как лет 15, а скорее 20, см. выше.
    Последний раз редактировалось чукча; 29.05.2015 в 13:04.

  21. #20
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от ASN Посмотреть сообщение
    Пико 180, на мосфетах?
    да.
    сейчас делают опытный образец на так называемых IGBT new, но они будут только с VRD, и продаваться в Европе (в лучшем случае) с конца этого года.
    Цитата Сообщение от ASN Посмотреть сообщение
    162-й на игбт.
    да.
    220 тоже на игбт.
    Последний раз редактировалось sanya1965; 29.05.2015 в 13:27.

  22. #21
    По умолчанию
    Интересно, чем же обусловлены такие особенности схемотехники ЕВМ, что именно у 180-го мосфеты, у остальных ИГБТ.

  23. #22
    По умолчанию
    чукча, хвост просто стал меньше. Прогресс конечно большой, но принципиально это явление в каком то виде будет всегда. Потому что хвостом называется остаточный ток коллектора биполярного транзистора, имеющегося в lgbt, возникающий из-за процесса рассасывания носителей в области базы после запирания транзистора.

  24. #23
    По умолчанию
    Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах. 180-й на ИГБТ. Ранее 200 амперные были просто на биполярах. Теперь и они на ИГБТ.
    И Пико 162 на ИГБТ. IXGH40N60C2.
    Так что там в обсуждении какую то дурь написали.
    Ремонт сварочного оборудования

  25. #24
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от tehsvar Посмотреть сообщение
    Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах.
    А ЕВМы и Неоны, это одно и то же?

    Цитата Сообщение от чукча Посмотреть сообщение
    Но чтобы на токе 20А у них статические потери были не больше, чем у одного HGTG30N60A4D, этих 2SK2837 нада 3-4 штуки параллельно,
    А сколько нужно IGBT , чтобы статические потери на них сравнялись с баяном из трёх STW48NM60N на токе 60А?
    Хотя, я не встречал больше двух IGBT впараллель.
    Последний раз редактировалось Alex___dr; 31.05.2015 в 13:07.

  26. #25
    По умолчанию
    Ниже 1,5в на IGBT всё равно не будет сколько их не баянь, а вот на полевиках в лёгкую

  27. #26
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от нищеброд Посмотреть сообщение
    А ЕВМы и Неоны, это одно и то же?
    А при чём тут одно и то же?
    Дана ссылка на обсуждение этих двух аппаратов. Там сказано, что Неон на МОСФЕТ-ах, что неверно.
    Ремонт сварочного оборудования

  28. #27
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от ASN Посмотреть сообщение
    Интересно, чем же обусловлены такие особенности схемотехники ЕВМ, что именно у 180-го мосфеты, у остальных ИГБТ.
    Цитата Сообщение от tehsvar Посмотреть сообщение
    Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах. 180-й на ИГБТ.
    Возможно, я что-то не понял.

  29. #28
    По умолчанию
    Просто на такие киловольты и килоамперы, на которых IGBT работают, MOSFET-ы пока еще не изобрели и не придумали. А в сварочных инверторах они их постепенно вытесняют, зато в низковольтных инверторах, где большой ток, мосфет пока незаменим. Да и вообще быстро зарядить и разрядить затворную емкость мощного мосфет-а можно только двухтактным драйвером, управляемым противофазными сигналами, когда один полевик драйвера быстро заряжает емкость, а другой закорачивает затвор на массу и быстро сбрасывает заряд. Никакие резюки и кондюки сделать этого не смогут.
    Последний раз редактировалось Serafim; 31.05.2015 в 15:28.

  30. #29
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от Serafim Посмотреть сообщение
    А в сварочных инверторах они их постепенно вытесняют
    Всё зависит от поставленной задачи. Если нужно максимально снизить потери в преобразователе, то альтернативы полевикам просто нет.
    Выбор драйверов (разумеется двухтактных) просто огромный http://www.compel.ru/catalog/power-conv-int/fet-driver/ .
    Кто кого вытесняет - вопрос открытый. Поживём - увидим.

  31. #30
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от нищеброд Посмотреть сообщение
    Возможно, я что-то не понял.
    В этой ссылке, на которую сослался Валери2001, идёт обсуждение ЕВМ 180 и НЕОН 180. Там указано, что Неон на МОСФЕТ-ах, что не так.
    http://asoik.ucoz.ru/index/neon_vd_1...y_otzyvy/0-321
    Вот выдержка из текста -
    ""трансформатор типа «тор» на феррите намотан с запасом по мощности медной намоточной многожильной проволокой; установлены мощные полевые транзисторы MOSFET; схема инвертора работает на частоте до 30 000 Гц.""
    После этого верить таким проверяльщикам аппаратов весьма проблематично.
    А так, да. На сварочные свойства аппаратов, структура транзисторов никак не влияет, что я уже не раз говорил.
    Последний раз редактировалось tehsvar; 31.05.2015 в 19:15.
    Ремонт сварочного оборудования

  32. #31
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от нищеброд Посмотреть сообщение
    Кто кого вытесняет - вопрос открытый. Поживём - увидим.
    Пока транзистор еще только в проекте был, то никто в его реальность не верил, пока японцы это до практического воплощения не довели. Поэтому тут прогнозы делать - занятие совсем неблагодарное и может появится что-то третье, что и igbt и mosfet-ты автоматически на музейные полки переместит. Тем более что практическим сварщикам все это знать-то и не обязательно, потому что

    Цитата Сообщение от tehsvar Посмотреть сообщение
    На сварочные свойства аппаратов, структура транзисторов никак не влияет, что я уже не раз говорил.
    Последний раз редактировалось Serafim; 31.05.2015 в 19:40.

  33. #32
    По умолчанию
    Так какому инвертору отдать предпочтение на сегодняшний день, на мосфетах или игбити?

  34. #33
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от андрей99 Посмотреть сообщение
    Так какому инвертору отдать предпочтение на сегодняшний день, на мосфетах или игбити?
    Смотрите на другую информацию, а эту пропускайте мимо.

  35. #34
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от андрей99 Посмотреть сообщение
    Так какому инвертору отдать предпочтение на сегодняшний день, на мосфетах или игбити?
    Отдайте предпочтение тому, на который схемы больше доступны в инете - меньше будет проблем с ремонтом .

    Ну а если серьезно - действительно почитайте еще и ветку по ремонту (только не вычисляйте статистику - более часто ремонтируемые аппараты может просто и продаются в больших объемах). Аппараты, по которым типа "не включается, а схемы нигде нет ...", пара 'гм-ммм...' максимум и дальше молчок - весьма вероятно так и остались неотремонтированными по самой банальной причине... Кстати, и там воочию увидите, что особой ПРАКТИЧЕСКОЙ "утилитарной" разницы (а то и просто - никакой) в технологии ключей для данной области применения никто из мастеров не подмечает...

  36. #35
    По умолчанию
    Цитата Сообщение от LV007 Посмотреть сообщение
    Аппараты, по которым типа "не включается, а схемы нигде нет ...", пара 'гм-ммм...' максимум и дальше молчок - весьма вероятно так и остались неотремонтированными по самой банальной причине..
    Даже если схема аппарата найдется, то вскрытие покажет, что "полетела" маленькая фирменная микросхемка, какой-нибудь драйвер, аналогов, которой там где вы живете в продаже нет и не купишь ее во всей России. И дорогой фирменный аппарат и-за этого может надолго (а то и навсегда) в цветмет превратиться. Поэтому доступность элементной базы и ремонтопригодность это важнейшее условие.

+ Ответить в теме
ãåíåðàòîð èíâåðòîð êîìïðåññîð ñâàðêà

Информация о теме

Пользователи, просматривающие эту тему

Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •  
Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru